산화막을 만들때 습식으로 하면 산화막의 밀도가 

너무 낮아서 터널링 효과도 생기는데,

이거를 건식으로 하고 그 위에 미세 코팅을 통해서 2차 산화막을 형성하는거지.

이런식으로 산화막 이중 코팅을 하게 되면 산화막 두께와 밀도가 높아져

그리고 수율이 50%밖에 나오지 않는 이유는 식각 공정에서 생긴일이야.

가스로 식각을 하게 되었을때 너무 많이 파인거야. 

그러다보닌깐 당연히 수율이 낮아지지. 

과도하게 파인 곳을 체워 넣고 열처리를 하거나 식각 하는 과정에서 

더 안 파이도록 가스의 용량을 조절 하면서 깍는거지. 미세 컨트롤이 더 필요하다는거야.

가스로 깍은 뒤 너무 많이 깍인 곳을 체워넣고, 

열처리 하는 방식도 개발할수있어. 이러면 이론적으로 반도체 수율 100%도 가능하지.

방법은 여러가지야. 

그리고 웨이퍼 위에 그래핀으로 코팅하고 그래핀으로 건식 산화막을 만들면, 

0.01나노에서도 터널링 효과를 막으며, 열 전도율도 우수해져.

TSMC와 삼성의 반도체 수율의 차이는 산화막 공정과 식각 공정에서 결정된거야.

모든지 문제의 원인을 알아야 그 해답을 찾을수있는거지.

0.01나노 현실화 + 조립형 스마트폰 + 스마트폰의 PC 대체

이 3가지가 단 10년 안에 현실화 될수도 있어.