사실 이번에 나온 HIGH NA의 EUV 레이저는 크게 의미가 없어,

NA의 크기가 커짐에 따라서, 

집광능력이 높아지는것은 집광능력에 따라 빛의 집광도에 영향을 주어야 한다는거야.

거리가 멀어질수록 빛이 퍼져나가는 각도에 따라서, 

집광 능력이 클수록해상도를 높일수있는것은 사실이야.

하지만 EUV 레이저의 경우 마스크에 닿아 반사되는 각도가 6도에서 9도로 늘었다고 해서

집광도가 늘어났다고 보기 어렵다는거야. 

EUV 레이저를 0.01나노를 현실화하고, 해상도를 높이기 위해서는 어떤 핵심 기술이 필요할까?

가장 먼저 마스크의 미세 패턴 회로의 절대 크기를 키워주는거야.

6인치의 미세패턴 회로의 크기가 A정도 크기라면 A로 크기를 키워주는거지.

그러면 형상에 빛을 더 많이 분사 할 수 있게 되고, 

그 빛을 모아서 축소 배율을 높여주면 되는데,

축소 배율을 높이는 과정에서 과도한 집광력으로 단위 면적당 빛의 밀도가 상승해,

빛이 겹쳐지면서, 해상도가 깨져버리지. 

그래서 펠리클 처럼 빛의 밀도를 낮춰 주는것이 필요한거야.

웨이퍼에 그려지지 않고, 웨이퍼가 타버리지.

그래서 빛의 밀도를 낮춰주기 위해서, 

투과율 10%정도 되는 펠리클을 얇게 설치하는거지.

중요한 것은 10%를 투과했을때, 빛이 균등하게 감소해야 한다는거야.

그리고 한번 투과를 해서 에너지가 약해지게 되면, 동일한 투과체를 넣는경우,

빛이 모두 흡수될수있어서, 

약해진 빛의 투과율을 10%가 될수있게 얇게 만드는게 핵심기술이겠지.

그리고 마스크에서 반사되는 미러의 비율을 1:1로 하는게 이상적인데,

빛의 크기가 작아졌다가, 다시 키우면 해상도가 떨어지기 때문이야.

100만:1의 비율로 축소하는 마지막 공정이 남았지.

빛의 밀도를 낮춘 상태에서, 

마지막 축소 공정에서 빛이 모이는 빨간색 지점에 볼록렌즈와 오목렌즈를 결합하는거야.

볼록렌즈의 크기는 10나노로 빛을 받아주고, 오목렌즈는 0.01나노의 크기지.

그리고 오목렌즈와 볼록렌즈 사이를 이어줘서, 빛의 흐름을 컨트롤 하는거야.

빛이 밖으로 새지 않도록 이 주변에 전기를 이용해 자기장을 생성하는거야.

그러면 10나노의 크기의 볼록렌즈가 빛을 끌어 모아. 

0.01나노 오목렌즈에서 축소된 체로 웨이퍼를 그리게 되는거지.

이것이 핵심 공정이야.

빛의 밀도 낮추기, 축소 배율 높이기. 

만약에 오목렌즈가 0.0001나노가 된다면, 

0.0001나노에 맞는 빛의 밀도로 축소해서 그리면 되겠지.

이론적으로 물리적으로 이미 0.01나노는 가능해.