EUV레이저에 닿은 마스크의 빛을 렌즈 필터 ND1000000을 이용해서,

빛의 밀도를 1/1000000으로 낮춰주는거야.

그리고 자기장 축소 배율기로 100만배 축소하는거지.

전류 흐르는 량에 따라 자기장에 영향을 받는 빛의 궤도가 변하면서, 

축소 배율이 높아지는데,

X축, Y축 코일에 흐르는 전류량만 잘 맞추면 10억배도 축소할수도있어.

광학의 세계에서 0.01CM 뒤로 밀리는것만으로도 1억배 작아지게 만들수 있지.

이 말은 현재 2나노를 만들수있는 공정에 빛의 밀도를 낮춰주고, 

자기장 축소 배율기를 결합하면 0.000002나노가 가능하다는거야.

그런데 10나노 이하에서 터널링 효과가 계속 발생해서, 상용화가 불가능하다는거지.

실리콘 위에 밀도가 9000배 높은 그래핀을 코팅하고 고열 고압에서 건식으로 

천천히 산화막을 만드는거지. 그래야 밀도가 높으닌깐,

그래핀 밀도를 90000배 높여서 더 고도화 하면 가능해,

터널링 효과가 발생하는 이유가 미세공정화 되는 과정에서,

전자의 크기가 너무 작아진거야.

그러닌깐, 산화막의 밀도가 낮아, 그 사이로 전자가 빠져나가는거지.

터널링 효과는 산화막 밀도만 높여주면 되는 문제야

0.01나노를 접목한 D램, SSD, CPU까지 만들어지게 할수있다는거야.

핵심 기술이나 원리, 공정은 이미 상용화 가능한 수준이지.