그건 실리콘에서 산화막의 밀도를 높이는 공정을 만드는거지.

실리콘 웨이퍼를 틀 안에 넣고 산화시키는데, 고압 상태에서 습식으로 만드는거야.

그리고 1차 산화를 시키고, 공간을 0.1mm 움직이고,

다시 습식을 통해 산화 반응을 빠르게 하면서,

압력으로 눌러 밀도를 높이는거야.

누설 전류를 막으려면 이렇게 산화막의 밀도를 높이는게 중요해.

밀도가 7000배 높은 그래핀으로 코팅하고 건식으로 산화막을 만들어도 되고,

이 기술과 공정이 개발되면 누설 전류 제로가 현실화 되는거지.

미세 나노화 될수록 밀도가 낮아지면 터널링 효과가 심해지는데,

밀도가 낮은 곳으로 작은 전류가 흐르는데, 

이때 트랜지스터가 작은 전류에도 작동하기 때문에 스케일링 현상이 발생하지.

이런 경우 밀도를 높여서 전자가 흐르지 않도록 해야돼,