그건 바로 빛의 밀도와 크기를 줄여서 에너지를 유지하는건데,EUV레이저에서 발사한 노광이 마스크에 닿아 배율 렌즈로 웨이퍼를 그리는게 지금 현재 공정이지.여기서 이 배율 렌즈 앞에 10%~50%정도 투과율을 내는 유리를 두고, 그 앞에 10배~2배의 배율렌즈를 설치하는거지.그리고 투과율을 축소시키는 투과체인 유리 앞에 배율 렌즈를 가까이 두겠지.그리고 그 앞의 렌즈와 유리는 더 작아질꺼야.그러닌깐 지금 현재 웨이퍼를 다 그리려면 10배,100배,1000배 시간이 걸릴수도있어.그래서 이 0.00001나노 레이저를 양산화 하라면 이 레이저를 10개를 설치해서,웨이퍼 10개를 동시에 그리는거지.여기서 이제 혁신적인 기술이 개발될텐데,그것은 마지막에 최종적으로 만들어진 빛의 본형을 떠서, 데이터화해서다른 레이저에서 동일하게 그 레이저를 발사하는거지.그러닌깐 나아가 1개 말고 한 개의 웨이퍼를 그리는데 다른 10개,100개 레이저를 동시에 사용할수있다는말이야.EUV 레이저 -> 마스크 -> 배율 렌즈 -> 투과율 감소체 -> 배율렌즈 ->투과율 감소체 ->배율렌즈 -> 웨이퍼의 포토 공정,마지막 공정에서 만들어진 배율렌즈의 빛을 데이터로 전환해서,다른 레이저가 그 빛을 그대로 복사해서 쏘는거지.이것도 포토 공정처럼 형틀을 찍어내서 물론 다른 레이저에 넣어서 할수도있어.아마 의지만 있다면 10년뒤 0.00001 나노 반도체도 양산될수있을꺼야.0.000001나노를 그리는 레이저를 만들려면 빛의 크기를 줄여야 하는데,배율 렌즈와 투과율 감소체가 그것을 가능하게 실현시켜줄거라는말이지.빛이 유리에 투과하면서 밀도를 낮춰 에너지를 감소 시키고 배율렌즈로 응축시키는거지.이 공정을 추가하면서 빛이 0.000001나노도 그릴수있는 붓이 되는거야.반도체는 이 공정이 개발 된 이후로 새로운 분기점을 맞게 될거야.
미래 나노 레이저 핵심 기술.jpg
그건 바로 빛의 밀도와 크기를 줄여서 에너지를 유지하는건데,
EUV레이저에서 발사한 노광이 마스크에 닿아 배율 렌즈로 웨이퍼를 그리는게 지금 현재 공정이지.
여기서 이 배율 렌즈 앞에 10%~50%정도 투과율을 내는 유리를 두고,
그 앞에 10배~2배의 배율렌즈를 설치하는거지.
그리고 투과율을 축소시키는 투과체인 유리 앞에 배율 렌즈를 가까이 두겠지.
그리고 그 앞의 렌즈와 유리는 더 작아질꺼야.
그러닌깐 지금 현재 웨이퍼를 다 그리려면 10배,100배,1000배 시간이 걸릴수도있어.
그래서 이 0.00001나노 레이저를 양산화 하라면 이 레이저를 10개를 설치해서,
웨이퍼 10개를 동시에 그리는거지.
여기서 이제 혁신적인 기술이 개발될텐데,
그것은 마지막에 최종적으로 만들어진 빛의 본형을 떠서, 데이터화해서
다른 레이저에서 동일하게 그 레이저를 발사하는거지.
그러닌깐 나아가 1개 말고
한 개의 웨이퍼를 그리는데 다른 10개,100개 레이저를 동시에 사용할수있다는말이야.
EUV 레이저 -> 마스크 -> 배율 렌즈 -> 투과율 감소체 -> 배율렌즈 ->투과율 감소체 ->배율렌즈 -> 웨이퍼의 포토 공정,
마지막 공정에서 만들어진 배율렌즈의 빛을 데이터로 전환해서,
다른 레이저가 그 빛을 그대로 복사해서 쏘는거지.
이것도 포토 공정처럼 형틀을 찍어내서 물론 다른 레이저에 넣어서 할수도있어.
아마 의지만 있다면 10년뒤 0.00001 나노 반도체도 양산될수있을꺼야.
0.000001나노를 그리는 레이저를 만들려면 빛의 크기를 줄여야 하는데,
배율 렌즈와 투과율 감소체가 그것을 가능하게 실현시켜줄거라는말이지.
빛이 유리에 투과하면서 밀도를 낮춰 에너지를 감소 시키고 배율렌즈로 응축시키는거지.
이 공정을 추가하면서 빛이 0.000001나노도 그릴수있는 붓이 되는거야.
반도체는 이 공정이 개발 된 이후로 새로운 분기점을 맞게 될거야.