미세 공정화 되는 과정에서 터널링 효과로 전자가 빠져나오는데그 이유는 소자가 얇아지면서 전자가 전류의 압력을 버티지 못하는거야.물론 소자에 미세한 구멍들이 생겼을수도있어.그래서 소자 위에 절연체를 얇게 여러 막으로 코팅하고그 위에 열전도성이 뛰어난 흑연같은것으로 코팅해서, 발생하는 열 에너지를 바로바로 CPU로 흘려보내는거지.누설 전류가 많아질수록 발열이 심해지는데, 소자 코팅만 하더래도 해결할수있는 문제야.이러면 3V를 줘도 누설전류가 없도록 만들수있어,문제가 생기면 내부에서 과전압에 의한 쇼트가 날순있지.그것도 프로세스 설계할때 고려해야겠지.핵심은 누설전류가 없도록 절연체를 더 넣고, 절연체로 소자를 코팅하는거야.이러면 발열을 잡으면서도 성능은 높은 CPU가 만들어지는거고,30년동안 IPC의 성능의 발전이 없었는데, 급격한 성능적 발전이 일어날수있겠지.누설 전류를 소자 성형만으로 해결 할 수 없고, 소재의 재질을 변경하거나 코팅으로 해결 할 수 있는 문제였던거지.이젠 0.01나노화 반도체를 만들더래도 누설전류를 잡을수있어,
CPU 누설전류 잡는 방법.JPG
미세 공정화 되는 과정에서 터널링 효과로 전자가 빠져나오는데
그 이유는 소자가 얇아지면서 전자가 전류의 압력을 버티지 못하는거야.
물론 소자에 미세한 구멍들이 생겼을수도있어.
그래서 소자 위에 절연체를 얇게 여러 막으로 코팅하고
그 위에 열전도성이 뛰어난 흑연같은것으로 코팅해서, 발생하는 열 에너지를 바로바로 CPU로 흘려보내는거지.
누설 전류가 많아질수록 발열이 심해지는데, 소자 코팅만 하더래도 해결할수있는 문제야.
이러면 3V를 줘도 누설전류가 없도록 만들수있어,
문제가 생기면 내부에서 과전압에 의한 쇼트가 날순있지.
그것도 프로세스 설계할때 고려해야겠지.
핵심은 누설전류가 없도록 절연체를 더 넣고, 절연체로 소자를 코팅하는거야.
이러면 발열을 잡으면서도 성능은 높은 CPU가 만들어지는거고,
30년동안 IPC의 성능의 발전이 없었는데,
급격한 성능적 발전이 일어날수있겠지.
누설 전류를 소자 성형만으로 해결 할 수 없고,
소재의 재질을 변경하거나 코팅으로 해결 할 수 있는 문제였던거지.
이젠 0.01나노화 반도체를 만들더래도 누설전류를 잡을수있어,