0.01나노를 만들려면 축소 공정과 빛의 밀도를 낮추는 공정을 추가해야돼,너무 미세해져서, 물리적으로 렌즈를 만들수 없다면 키우면 되지.실리콘 웨이퍼의 경우 밀도가 2.33g/cm3, sic 탄소 실리콘 웨이퍼의 경우 밀도가 3.21g/cm³지.질화 갈륨 웨이퍼는 6.15g/cm³야.밀도가 높을수록 미세나노화 되는 공정속에서, 터널링 효과를 막을수있게 되는거야.집중 해야 할 것은 탄소지.탄소가 녹는점이 3600도 정도 되는데, 물리적으로 최대한 가루를 낸 흑연을 마이크로파 전자레인지에서 가동하는거지.그 과정에서 흑연이 나노화 되는데, 이 과정을 반복하고,규소도 역시 이렇게 해서 나노화를 하는거야.그리고 이것을 가지고 실리콘 잉곳을 만드는데 넣는거지.그리고 계속 반죽해서 섞이게 한 뒤, 식혀서 잉곳을 만드는거지.이러면 0.01나노가 가능한 나노화 된 SIC 잉곳이 탄생하는거야.이때 열처리뿐만 아니라 압력 공정을 넣으면 해결 되지.SIC 잉곳보다 밀도가 훨씬 높아지겠지.
0.01나노 특수 웨이퍼 제작이 필요하지.jpg
0.01나노를 만들려면 축소 공정과 빛의 밀도를 낮추는 공정을 추가해야돼,
너무 미세해져서, 물리적으로 렌즈를 만들수 없다면 키우면 되지.
실리콘 웨이퍼의 경우 밀도가 2.33g/cm3, sic 탄소 실리콘 웨이퍼의 경우 밀도가 3.21g/cm³지.
질화 갈륨 웨이퍼는 6.15g/cm³야.
밀도가 높을수록 미세나노화 되는 공정속에서, 터널링 효과를 막을수있게 되는거야.
집중 해야 할 것은 탄소지.
탄소가 녹는점이 3600도 정도 되는데,
물리적으로 최대한 가루를 낸 흑연을 마이크로파 전자레인지에서 가동하는거지.
그 과정에서 흑연이 나노화 되는데, 이 과정을 반복하고,
규소도 역시 이렇게 해서 나노화를 하는거야.
그리고 이것을 가지고 실리콘 잉곳을 만드는데 넣는거지.
그리고 계속 반죽해서 섞이게 한 뒤, 식혀서 잉곳을 만드는거지.
이러면 0.01나노가 가능한 나노화 된 SIC 잉곳이 탄생하는거야.
이때 열처리뿐만 아니라 압력 공정을 넣으면 해결 되지.
SIC 잉곳보다 밀도가 훨씬 높아지겠지.