삼성 4나노 수율 50% 인 이유.jpg

그건 바로 산화막의 문제였어.

산화막 밀도가 터무니 없이 낮은거야.

그래서 식각 공정에서 너무 많이 깍아버려서 수율이 50%로 떨어져버렸지.

같은 공정, 같은 기계임에도 식각 공정과 산화막 생성 공정이 달랐던거야.

산화막 생성 공정에서 건식으로 전환하는게 바람직하지.

여기서 그리핀으로 코팅하고 그 위해 그리핀 산화막을 만들게 되면

0.01나노에서도 터널링 효과가 발생하지 않을 열전도율이 우수하면서,

누설전류 제로 반도체 칩이 탄생하게 되는거야.