터널링 효과 및 누설 전류 막을 핵심 기술.jpg

반도체가 미세 공정화 되는 과정에서 전자의 크기가 작아지게 되고,

이 작아진 전자가 산화막을 뚫고 가면서, 

터널링 현상이 발생해,

누설 전류에 의해서 소자간의 간섭이 발생하고, 오류가 발생하지.

밀도가 매우 높은 그래핀으로 코팅하고 그 위에 충분하게 건식으로 

그래핀 산화막을 만들게 되면  누설전류와 터널링효과를 막을수있게 되지.

이 핵심 기술을 낸드 플레쉬, 메모리, CPU등 모든 반도체에 적용하면 0.01나노가 되더래도

누설전류가 발생하지 않는다는거지.

D램에도 10나노급이 아니라, 10나노,4나노가 가능하다는거야.

CPU는 사용하는 동안에 발생하는 누설 전류량이 적어서, 소자의 크기를 줄여도,

사용상에 문제가 없었지만, 저장장치인 메모리 같은 경우, 누설 전류가 발생했을때,

일정 시간이 지나면 데이터의 오류가 발생해서, 20나노 이하로 줄이기 어려웠지.

그래서 10나노급이라고 해서 소자 성형으로 단위 면적당 더 많은 소자를 넣거나.

면적을 늘리거나 탑으로 세워, 20나노를 10나노급으로 만든거야.

이 그래핀 코팅은 0.01나노를 현실화하고 모든 반도체 한계를 넘기 위한 핵심 기술이지.

이 기술의 가치는 어느정도 일까?