반도체에서 수율을 높이고 누설전류를 잡는게 굉장히 중요한데,반도체는 게이트에서 인가 전압을 주게 되면 터널링 효과에 의해서 절연체를 옆면으로 전류가 통과하는데이때 전기가 통하면서, 채널이 작동되는거야. 그런데 소자가 작아짐에 따라서, 게이트에서 전압을 주지 않았는데,절연체가 없는 방향으로 전류가 퍼져나가면서, 누설 전류를 발생하지. 소자가 그만큼 작아지면서 터널링 효과가 쉽게 일어나기 때문이야.그래서 소자 위에 절연체를 코팅해주면 되는데, 절연체를 코팅하지 않으면 누설전류가 발생하고,절연체를 너무 많이 코팅하면 전압을 높여도 전류가 흐르지 않는 현상이 생기는거지.그래서 게이트 위에 열 전도율이 높은 절연체를 코팅을 해주고, 그 열을 쿨러로 식혀주는게 핵심이야. A게이트에서 전압을 주었을때 B 절연체에 의해서 전기가 흐르지 않는데,전류가 주변으로 흐르고, 공극 사이로 터널링 효과가 발생해서, C와 D에 전류가 흐르는 채널이 만들어지는데,가령 B 절연체를 통과하려면 5V의 전압이 필요하다는거지.그런데 3V만 되더래도, 절연체를 제외한 다른곳으로 전류가 흘러가는거야. 이러는 이유는 산화막의 거리가 짧아져서, 터널링 효과가 발생했기 때문이지.건식으로 산화막을 만들면서, 두께를 조금 두껍게 만들어서, 3V에서 흐르는 전류는 산화막에서 흡수되어서열로 전환되고 전자가 흐르지 않도록 해야돼, 소자가 작아져서 전압을 주게 되면 산화막을 통과해서 흐르는 전류가 늘어나서, 누설전류량이 늘어나는데,이렇게 산화막을 건식으로 만들어서 밀도를 늘리고, 두께를 늘린 상태에서, 게이트 위를 두껍게 절연체로 코팅해주면 누설 전류도 해결하고, 수율도 높이는거야.그리고 절연체를 열전도율이 높은 물질로 만드는거지.누설전류가 열로 전환된것을 빠르게 열 교환이 이루어지도록 해서,반도체의 온도를 대폭 낮추는거야.그러면 수율도 높이면서 발열까지 해결하는거야
반도체 수율 90% 넘기는 방법.JPG
반도체에서 수율을 높이고 누설전류를 잡는게 굉장히 중요한데,
반도체는 게이트에서 인가 전압을 주게 되면 터널링 효과에 의해서 절연체를 옆면으로 전류가 통과하는데
이때 전기가 통하면서, 채널이 작동되는거야.
그런데 소자가 작아짐에 따라서, 게이트에서 전압을 주지 않았는데,
절연체가 없는 방향으로 전류가 퍼져나가면서, 누설 전류를 발생하지.
소자가 그만큼 작아지면서 터널링 효과가 쉽게 일어나기 때문이야.
그래서 소자 위에 절연체를 코팅해주면 되는데, 절연체를 코팅하지 않으면 누설전류가 발생하고,
절연체를 너무 많이 코팅하면 전압을 높여도 전류가 흐르지 않는 현상이 생기는거지.
그래서 게이트 위에 열 전도율이 높은 절연체를 코팅을 해주고, 그 열을 쿨러로 식혀주는게 핵심이야.
A게이트에서 전압을 주었을때 B 절연체에 의해서 전기가 흐르지 않는데,
전류가 주변으로 흐르고, 공극 사이로 터널링 효과가 발생해서,
C와 D에 전류가 흐르는 채널이 만들어지는데,
가령 B 절연체를 통과하려면 5V의 전압이 필요하다는거지.
그런데 3V만 되더래도, 절연체를 제외한 다른곳으로 전류가 흘러가는거야.
이러는 이유는 산화막의 거리가 짧아져서, 터널링 효과가 발생했기 때문이지.
건식으로 산화막을 만들면서, 두께를 조금 두껍게 만들어서,
3V에서 흐르는 전류는 산화막에서 흡수되어서
열로 전환되고 전자가 흐르지 않도록 해야돼,
소자가 작아져서 전압을 주게 되면 산화막을 통과해서 흐르는 전류가 늘어나서,
누설전류량이 늘어나는데,
이렇게 산화막을 건식으로 만들어서 밀도를 늘리고, 두께를 늘린 상태에서,
게이트 위를 두껍게 절연체로 코팅해주면 누설 전류도 해결하고, 수율도 높이는거야.
그리고 절연체를 열전도율이 높은 물질로 만드는거지.
누설전류가 열로 전환된것을 빠르게 열 교환이 이루어지도록 해서,
반도체의 온도를 대폭 낮추는거야.
그러면 수율도 높이면서 발열까지 해결하는거야