0.1나노 반도체 누설전류 막는 방법.jpg

2나노 이하가 되면 소스와 드레인 사이의 간격이 너무 좁아져서,

전압을 주지 않더래도 전류가 통과하는 터널링 효과가 생기는데,

이 문제를 아주 간단하게 해결할수있지.

소스와 드레인 사이를 플라즈마 식각을 하는데, 

소스와 드레인을 반으로 나눠서 소스 부분은 왼쪽을 좀 더 깊게 파내고, 드레인 부분은 오른쪽 부분을 더 파내는거야.

그런다음에 보라색 절연체를 넣어 빛에 반응하게 해서 굳힌 다음에

다시 플라즈마 식각으로 절연체가 열리도록 파내면 사진과 같은 모양이 되는데,

이때 소스와 드레인 밑에 산화막을 넣어서, 일정 전압을 걸지 않으면 전류가 흐르지 않도록 하는거야.

그다음 소스에서 전압을 걸었을때,

전류가 아래의 산화막을 통과해서 흐르도록 하는거지.

이러면 0.01나노 반도체라더래도 누설전류를 막을수있어.

2나노 이하 반도체가 만들어지게 되면 현재 지어지고 있는 데이터 센터 크기를 1/1000 크기로 줄일수있는데

0.00001나노가 되면 한국 100평 규모의 데이터 센터가

구글이랑 테슬라랑 앤비디아 한국 기업의 모든 데이터 센터 총합보다 더 많은 데이터를 처리하고, 

전성비도 대폭 높일수있지.

그래서 2나노 이하 기술은 데이터 센터를 지은 이후 가치가 높아지는데,

업계에서 불가능하다는 결론을 내렸기 때문에 최소 10만조원 이상의 가치,

10경원의 가치를 가지는 기술이 될꺼야.

AI기술을 특이점이 오게 하려면 0.1나노 이하 반도체는 필수인데,

가격이 제한이 없어. 그정도로 가치가 높은 기술이지