0.01나노 반도체 누설전류 잡는 방법.jpg

반도체의 실리콘 부분과 산화막 부분의 전기 저항은 온도가 높아지게되면 낮아지게 되는데,

2나노 이하 크기의 반도체에서 누설 전류량이 증가한다는거지.

그래서 2나노 이하에서 누설전류를 막기 위해서, 

반도체의 온도를 20도 이하까지 낮추는거야.

20도 이하까지 낮추게 되면 실리콘 부분의 전기 저항이 커지게 되면서 누설전류가 줄어드는거지.

그래서 펠티어소자를 반도체 접합해서, 전기를 넣어 20도 수준으로 온도를 유지하고,

액침 냉각을 활용해서, 펠티어 가열 부분의 온도를 20도 이하로 낮추는거야.

2나노 이하 반도체가 불가능하다고 하는 이유는 빛의 크기를 줄일수 없는것과

누설전류를 잡지 못해서인데,

빛의 크기는 마스크에 빛을 쏘아 반사된 빛의 밀도를 낮춘 상태에서 축소배율을 높이면 작아지게 되고,

누설전류는 펠티어 소재와 액침 냉각을 이용해서, 20도 ~ -40도까지 온도를 낮춰, 

누설전류를 잡는거지. 

2나노 이하 반도체가 일반 PC에도 적용되려면 메인 CPU는 2나노 반도체를 사용해서 높은 전압을 사용하고,

보조 CPU에는 0.1나노 반도체를 병렬로 사용하면서, 

전압을 대폭 낮추고 쿨러를 설치해 낮은 온도로 누설전류를 잡으면 되는거야