0.1나노 반도체에서 채널이 폭이 좁아지면서 전류가 흐르는데가장 큰 이유는 산화막의 밀도가 상대적으로 낮아 공극이 커지면서 전류가 흘러버리는거야이 문제를 해결하는 방법은 산화막 임플란트를 해주는거지. 게이트에 전압을 걸게 되면 소스에서 드레인으로 전류가 흐르는데,F 산화막층을 뚫고 가는거야완전 절전 임플란트 C가 2개가 박혀있는데산화막에서 누설전류가 열로 전환되는 비율이 많아서, 전선 채널을 만드는것도 방법이야.전설 채널은 이런 방식이지. 산화막이 없는거야.유리로 되어있어서 완전 절연체인데,소스에서 전압을 걸면 C에서 채널이 열리면서 전류가 D로 흐르는거지.전압이 낮아지면 다시 전류가 차단되는 방식이야.이러면 산화막에 의해 전류가 열로 전환되는 발열 현상을 최소화하면서 전류 낭비도 크게 억제할수있는데,칩셋 연결하듯이 소스와 드레인을 0.1나노 크기에 맞게 레이저로 식각해서 산화막을 체워넣고 그 위에유리로 임플란트를 하는거지.이런 누설전류 제로 완전 절연체 반도체도 가능해.0.1나노가 불가능한게 빛의 크기 줄이는거랑 누설전류때문인데빛의 크기 줄이는것은 빛의 밀도를 낮춰서 축소 배율높이는거고누설 전류 줄이는 것은 완전 절연체에 전선형 산화막을 설치하는거야
0.1나노 누설전류 0% 소자 성형 방법.JPG
0.1나노 반도체에서 채널이 폭이 좁아지면서 전류가 흐르는데
가장 큰 이유는 산화막의 밀도가 상대적으로 낮아 공극이 커지면서 전류가 흘러버리는거야
이 문제를 해결하는 방법은 산화막 임플란트를 해주는거지.
게이트에 전압을 걸게 되면 소스에서 드레인으로 전류가 흐르는데,
F 산화막층을 뚫고 가는거야
완전 절전 임플란트 C가 2개가 박혀있는데
산화막에서 누설전류가 열로 전환되는 비율이 많아서, 전선 채널을 만드는것도 방법이야.
전설 채널은 이런 방식이지.
산화막이 없는거야.
유리로 되어있어서 완전 절연체인데,
소스에서 전압을 걸면 C에서 채널이 열리면서 전류가 D로 흐르는거지.
전압이 낮아지면 다시 전류가 차단되는 방식이야.
이러면 산화막에 의해 전류가 열로 전환되는 발열 현상을 최소화하면서 전류 낭비도 크게 억제할수있는데,
칩셋 연결하듯이 소스와 드레인을 0.1나노 크기에 맞게 레이저로 식각해서 산화막을 체워넣고 그 위에
유리로 임플란트를 하는거지.
이런 누설전류 제로 완전 절연체 반도체도 가능해.
0.1나노가 불가능한게 빛의 크기 줄이는거랑 누설전류때문인데
빛의 크기 줄이는것은 빛의 밀도를 낮춰서 축소 배율높이는거고
누설 전류 줄이는 것은 완전 절연체에 전선형 산화막을 설치하는거야