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반도체 누설 전류잡는다는데.jpg

GravityNgc |2022.07.09 10:35
조회 88 |추천 0


누설 전류를 잡으려면 절연체를 늘려주는게 맞지만,


사실 CPU의 경우 누설전류때문에 과열현상이 발생하는게 아니야.


단위 면적당 소자가 많아질수록, 누설 전류가 감소하는데, 


그 이유도 절연체가 상대적으로 줄어들기 때문이고, 흐르는 전류를 더 잘 활용하기 때문이지.


발열을 줄이기 위해서라도 최소한의 절연체만 사용하도록 하는게 바람직하지. 


사실 반도체 채널을 늘리는 경우도


선택적 사용에 따라서 낮은 전압으로 구동하게 하는 것밖에 되지 않아.


채널 3개로 늘리고 채널 3개중 2개는 사용하지 않는거지. 


그러다 보면 성능 차이가 생길수있겠지. 이 경우 전압이 높아지면 소자가 타버려.


소자 성형에 따른 과전압 문제를 해결하려면 절연체를 더 적게 넣고,


전류가 흐르는 채널의 크기와 갯수를 늘려주면 돼,


그리고 성능 상승에서 중요한 것은 더 높은 미세공정화를 통해서, 


단위면적당 집적도를 높여주는거지.


삼성 CPU의 경우, 발열이 일어나는 근본적 이유는 뭘까?


반도체 소자의 채널의 크기에 비해 전압이 과도하게 들어가는거야.


그래서 과전압이 되고, 과전류가 발생하는거지.


소자 성형으로 해결하려면 절연체를 더 줄이고, 전류가 흐르는 채널 면적을 늘려주면 돼,


채널을 더 크게 4개까지 늘리는거지. 


그리고 채널을 적게 사용할수록 더 적은 전압이 주어져야겠고,


다 사용하면 최대 전압을 사용해야겠지.


사실 채널을 나누는 이유는 전기를 적게 필요에 따라 사용하려고 하는건데, 


삼성 CPU는 과도한 전압으로 인해서, 과전류 현상이 일어난거야.


CPU의 바이퍼 총 면적, 단위면적당 절연체,채널의 크기에 따른 적정 전압을 찾아야된다는거지.






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