누설 전류는 절연체를 늘리는게 맞지만, 누설전류가 아니라 과전류야.

반도체 소자가 고도화로 미세화하는 과정에서 소자당 사용하는 전류량이 감소하게돼,

적정 전압을 결정함에 있어서 가장 중요한것은 전류가 흐르는 채널의 총 크기야

미세화하더래도 소자의 갯수가 늘어나면서 채널의 총 크기가 감소하지 않는다면

전압을 낮추지 않아도 된다는거지. 그런데 소자 성형에서 채널의 크기를 줄여버렸어,

그러면 전압을 낮춰야 돼, 전압이 과도하게 들어가면서, 과부하를 일으키는거야.

그러면 과전류가 발생하게 되는거야.

전압을 낮추거나, 소자를 다시 성형해야겠지. 

소자 성형만으로 성능을 높일수없어, 

기본 소자와 성형 소자를 동시에 생산해 비교해서 결정해야 한다는 말이야.

그런데 굳이 전압을 높일 필요가 있을까, 

쉽게 말해서 cpu의 크기를 늘리고 cpu를 1/4만 사용하는거지.

4개의 영역으로 나뉘어서,  기본이 되는 1채널만 작동하면 낮은 전압으로 가용이 가능해,

그러다가 2채널,3채널,4채널에 전류를 흘려보내고 작동시켜서 cpu의 최대 성능을 끌어내는거지.

4채널을 모두 가동하려면 한개만 사용하는것보다 더 높은 전압이 필요해,

이 말은 4채널을 가동하는 전압으로 1채널에게 가하게 되면 소자가 타버린다는것을 의미해,

그리고 전압이 약하면 작동하지 않을수도있어, 

이 말은 CPU 수율이 낮아지면 전압을 낮춰야 된다는말이야.

그래서 출시하기전 최소 수율에 미달하지 않으면 폐기하지.

수율이 좋으면 전압을 높이는게 맞겠지.

하지만 전압이 초과하게 되면 과전류 현상이 발생한다는거지.

그게 발열의 주된 원인이자나. 

이게 삼성 cpu 발열의 문제야. 애플은 발열이 낮으면서 저전력 높은 성능을 낸 이유는

바이퍼 크기가 커지고 적정 전압을 설정했기 때문이지.