반도체 4나노로 미세공정화되면, 터널링 효과가 발생한다고 하는데, 

이거는 그냥 내부 압력이 높아져서 구멍이 생긴거야.

쉽게 말해서 전압이 높은거야. 전압만 낮추면 문제가 해결되지.

물론 소자 성형을 통해서 해결할수있는데, 결국 채널의 총 크기와 면적이 중요해,

그래야 압력이 낮아지지.

한번 높은 전압을 줘서 손상을 주게 되면 지속적으로 누설 전류가 발생하는데,

그래서 CPU에 전압부에 CPU가 부하가 걸리지 않도록 전압 변환기를 설치해야돼,

CPU에 전압을 높게 줘도 CPU에게 부하가 주지 않는 전압으로 변환되어서 들어가는거지.

전류가 흐르는 채널의 총 크기가 감소하면, 같은 전압이더래도 내부 전압이 상승해서,

전자가 구멍을 내는거야. 이게 미세공정화 될수록 뚜렷해지는거지.

이러면 누설전류도 해결되지.

사실 전력 효율의 관한 문제는 단위면적당 소자 크기에 영향을 받는데,

왜냐면 소자당 사용하는 전류소비량이 감소하기 때문이지.

소자 성형을 해서 전성비가 좋아진게 아니라는거야.