핵심은 칩셋에 전압이 너무 높다는거야.

1.25V 전압을 주더래도 내부의 채널이 크면 칩셋이 작동하지 않을수도있어,

반대로 채널이 작으면 빠르게 전류가 흐르지. 

그러다가 전류가 제대로 배출되지 않으면 과전압 현상이 발생한다는거야.

같은 전압이더래도 전류가 흐르는 채널의 총 크기, 

전류 배출로의 따라 작용하는 전압이 다르다는거지.

그런데 이 칩셋이 4채널로 운용 되는 경우, 1채널에게 1.25V의 과도한 전압이 발생해,

이렇게 전압이 높으면 속도가 빨라져 그리고 그 전류가 빠져나가야겠지.

빠져나가는 속도보다 더 많은 전류가 흐르게 될때 과전압 현상에 의해서,

발열이 높아지는데, 이러다가 실리콘이 녹거나 구멍이 생기면 누설전류가 늘어나게 되겠지.

전압을 낮추거나 전류가 빠져 나가는 공간을 늘려야 돼,

전류를 더 많이 빠르게 배출하도록 방류 부분을 강화 하거나 기본 전압을 낮춰야겠지.

잔여전류가 지연되다가 과전압에 의해서 전류가 역류하면 

배터리가 터지던 CPU가 터지는거지.

전압을 낮추거나 전류를 배출하는 핀을 늘리고, 

핀에서 전류가 더 빠르게 안정적으로 빠져나가는 소재를 선택해야겠지.

결국 CPU에서 전류가 안정적으로 빠져나가게 핀과 소켓 부분을 강화하는게

CPU 안정성과 발열 문제를 잡게 되는 근본적 해결책이겠지.

왜 채널의 총 크기에 대해서 이야기할까,

1.25V의 전압에 따른 순간 내부 전압이 결정되는데, 

이때 4나노 이하일때 얇아져서 

터널링 효과로 인해서 구멍이 생길수있기 때문이야.

4나노 이하에서는 전압과 채널 총 크기도 고려해야돼.