2나노 이하부터는 게이트에 전압을 주지 않더라도 소스에서 전류가 드레인으로 흐르면서

반도체로서의 기능이 상실하는데.

이 근본적 원인이 바로 양자 터널링 현상 때문이야.

반도체의 크기가 작아질수록 산화벽의 크기가 작아지는데, 이때 그 작은 공극으로 전류가 모여 고전압을 형성하고,

그 과정에서 전류가 흘러버리는거지.

해결방법은 적층 수직형 트렌지스터를 만드는거야.

이런 적층 형태로 만드는건데,

게이트에 전압을 주면 소스에서 전류가 채널을 통해 드레인으로 흐르고,

게이트에서 전압을 주지 않으면 드레인에 전류가 흐르지 않는거지.

이러면 2나노보다 더 작은 0.01나노에서도 산화막의 밀도나 크기를 조절할수있어서 누설전류를 막을수있는거야.

반도체의 원리는 산화막이 상대적으로 두꺼우면 전류가 열로 전환되면서 전류가 흐르지 않는데, 

전압을 주면 통과하는원리인데, 산화막의 밀도와 길이 조절에서 자유로운 수직 트렌지스터가 2나노 이하 반도체 소자성형의 핵심이겠지