반도체가 미세화될수록 소자당 전류 사용량이 감소한다는거야.

그 말은 전성비가 좋아진다는 말이겠지.

그렇다고 해서 전류만 많이 흘려보낸다고, 성능이 높아진다는건 아니야.

즉, 바이퍼 크기를 키워 더 많은 소자를 넣었을때 같은 전류여도,

더 높은 기대 성능을 낼수있게 된다는말이지.

그래서 나노화 될수록 성능이 높아지고 전성비가 좋아지는거야.

그런데 나노화 되는 과정에서 소자 성형으로 전류가 흐르는 채널의 크기를 줄이거나,.

바이퍼 크기를 줄이면서, 전류가 흐르는 채널의 총 면적이 감소하게 되면 

주입 전압 대비 내부 전압이 상승하게 돼. 

상대적으로 CPU가 내부가 고압력이 된다는거지.

이러다가 전자의 압력을 못 이겨 소자에 미세한 구멍이 생기는거지.

거기서 누설 전류가 발생하는거야. 

만약에 소자가 압력이 강한 재질이였다면 전류가 역류하면서 CPU 전압부가 터졌을꺼야.

여기서 중요한것은 집적회로에 대한 대 원칙이 있어, 

그것은 미세공정화 될수록 누설 전류가 감소하고, 

전성비와 CPU 단위 면적당 데이터 처리량이 상승하게 된다는 원칙인데, 

나노화 될수록 더 많은 소자를 넣을수있어서지. 

한번에 처리할수있는 양이 증가하면서 IPC가 상승하게 되는건데, 

바이퍼 크기를 줄였다면 그에 따른 전압을 낮추거나

소자에서 전류가 흐르는 채널의 크기를 키워줘야겠지.

채널의 크기가 너무 크면 또 전압을 더 넣어 줘야돼,

그래서 사실 적정 전압이라는 개념이 필요한거지.

전압부와 CPU 사이에 적정 전압이 되도록 하는 변환기를 설치해도 되지.