0.01나노를 만들려면 축소 공정과 빛의 밀도를 낮추는 공정을 추가해야돼,

너무 미세해져서, 물리적으로 렌즈를 만들수 없다면 키우면 되지.

실리콘 웨이퍼의 경우 밀도가 2.33g/cm3, sic 탄소 실리콘 웨이퍼의 경우 밀도가 3.21g/cm³지.

질화 갈륨 웨이퍼는 6.15g/cm³야.

밀도가 높을수록 미세나노화 되는 공정속에서, 터널링 효과를 막을수있게 되는거야.

집중 해야 할 것은 탄소지.

탄소가 녹는점이 3600도 정도 되는데, 

물리적으로 최대한 가루를 낸 흑연을 마이크로파 전자레인지에서 가동하는거지.

그 과정에서 흑연이 나노화 되는데, 이 과정을 반복하고,

규소도 역시 이렇게 해서 나노화를 하는거야.

그리고 이것을 가지고 실리콘 잉곳을 만드는데 넣는거지.

그리고 계속 반죽해서 섞이게 한 뒤, 식혀서 잉곳을 만드는거지.

이러면 0.01나노가 가능한 나노화 된 SIC 잉곳이 탄생하는거야.

이때 열처리뿐만 아니라 압력 공정을 넣으면 해결 되지.

SIC 잉곳보다 밀도가 훨씬 높아지겠지.