반도체 업계에서 2나노 이하는 생산이 불가능하다는 결론을 내렸지.
그 이유는 더이상 빛의 크기를 줄일수 없었기 때문이고, 그 다음은 누설 전류 문제 때문이였어,
하지만 역시 방법은 존재했지.
현재 반도체 공정에서 웨이퍼를 그려낼때 포토 공정이라고 해서,
마스크에 빛을 쏘아 반사된 빛을 웨이퍼에 쏴서 그려내는데,
이때 투과된 빛의 밀도를 낮춰주는 렌즈 필터 ND1000000를 빛이 지나가는 지역에 설치하는거야.
렌즈 필터는 통과한 빛의 밀도를 1/100만배로 축소시켜주는데,
투과된 빛의 밀도를 낮춘 상태에서 빛이 형상을 맺는 곳이 0.01CM만 뒤로 미루게 되면
빛의 형상이 1/100만배로 작아진다는거지.
단 0.001CM만 뒤로 미루었는데 빛의 크기가 100만배가 작아지는거야.
빛이 닿은 단위 면적에 에너지량으로 목적 배율에 달하도록 설정하는거야.
0.001의 오차까지도 잡아내는거지.
현재 2나노 공정에서 빛의 밀도를 낮추고, 축소 배율을 높이는 공정을 넣게 되면
한 순간에 0.000001나노가 되는거야.
2개를 겹치게 되면 1조배 작아지게 만들수있지.
빛의 투과 되면서 생기는 해상도 손실을 줄이려면 축소 렌즈의 크기를 줄이고, 빛이 어느정도 모인 지점에 설치해야,
빛이 매질에 의해서 흡수되지 않겠지. 그래서 진공의 상태에서 렌즈필터를 적절한 위치에 설치해야하는거야.
1나노도 어렵다는게 현재 반도체 업계인데
한 순간에 10억배 작아진 1아토 반도체를 만들수있게되는거지.
누설 전류 문제를 막는 방법은 웨이퍼에 절연체를 코팅하고,
그 위에 그래핀으로 코팅한 이후에 고밀도 건식 산화막을 만드는거야.
산화막과 웨이퍼 사이에 얇은 절연체가 들어가게 되지.
누설 전류가 생기는 이유는 소자의 크기가 너무 작아져서, 그 곳에 흐르는 전자의 크기도 작아지는데,
산화막에 있는 미세한 균열이나 구멍들의 크기가 상대적으로 커지기 때문이야.
그 곳을 메꾸거나 절연체를 코팅해주는거지.
그러면 누설 전류를 막을수있게 되는거야.
갈수록 전압을 낮춰야 하는 이유도 소자가 너무 작아서, 낮은 전압으로도 소자가 탈수있기때문이지.
미세 공정화 하면서 소자가 작아지면, 전성비가 훨씬 좋아지고,
물리적 거리가 작아지면서 처리 속도가 빨라지고, 지연 속도가 낮아지는데,
CPU 크기에 현재 사용하는 CPU에 1억개를 넣을수있어.
그러면 컴퓨터 1억개를 동시에 가동할수도 있는거지.
CPU 칩 하나에 메모리와 CPU, GPU가 동시에 들어가도록 설계할수도있어.
미래에는 메인 CPU 1개를 반드시 사야하고,
직렬 계산용 메인 CPU를 설치하는거야.
스마트폰을 가동하려면 반드시 필요한거지.
그 다음 보조 GPU, 보조 CPU를 끼워넣는데,
100개를 넣을수있는거지. 너무 작아서 90개는 보조 GPU, 10개는 보조 CPU로 설정하면 AI가 프로세스 칩을 만들어주고,
그 칩을 넣으면 윈도우상 메인 CPU 1개, 보조 GPU 90개, 보조 CPU 10개가 잡는거야.
처리 속도는 지금과 비교조차 되지 않을꺼야.
32비트에서 128비트, 256 비트로 처리 단위를 높이게 되면 처리 속도는 기하급수적으로 높아지지
