그냥 간단해, 게이트 길이가 짧아지면서 저항이 줄어들어, 그러면 전류량이 증가한다고,

즉, 소비전류가 적어진다는 의미야. 그러닌깐 전압을 낮추면 해결할수있는데

전압을 유지하면서 전류가 흐르는거지, 만약에 여기에 절연체를 넣으면 

누설 전류를 억제할수있지만, 발열이 높아지게되고, 속도가 느려져,

이거는 과전압에 의한 누설전류라고할수있어,

전압만 낮추면 되는걸 왜 소자 성형까지 하냐는거지.

그런데 이거를 가지고 소자 성형으로 해결하려고 하는데,

그냥 전압을 줄이거나, 단위 면적당 소자를 늘리는것 말고 CPU칩의 면적도 넓히는거야.

그러면 남은 전류가 그 소자로 이용되면서 과전류 현상을 발생시키지 않는다는거지.

과전류 현상이 발생하게 되면 발열이 심해지게 돼, 

그러다가 터지고 폭발하고 소자가 녹기도하지.

삼성 갤럭시는 스마트폰 칩의 면적을 넓히고, 전압을 유지하거나 좀 낮추면 돼,

양자 터널링 효과도 전압을 과도하게 주면 옆으로 비껴나간다는거지 뭐,

사실 투과 하는것도 아니야.