4나노 밑에서부터는 터널링 효과가 작용한다고 하자나.

이런거는 사실 좀 황당하지. 양자역학 이야기하는것은 신빙성이 낮다고 보면돼,

이런 것도 전압을 낮춰주기만 하면 이런 현상이 사라지는데,

한번에 많은 전자를 내 보내는데, 채널의 총 면적이 적어지면 전류가 새는거야.

누설 전류가 발생한다는거지.

쉽게 말해서 물 호수에 물이 지나가자나. 물을 과도하게 흘려보내는거야.

그러면 문제가 생기겠지. 아마 호수가 터질꺼야.

그러면 그 호수를 두텁게 만들면 물의 압력이 쎄지면서

속도가 빨라지지. 그런데 물 길이 막혀있으면.그러면 역류해서 또 고장나.

호수가 탄소 섬유라면 호수가 터지지 않고 물 펌프기가 터지겠지.

그런데 호수가 얇으면 호수가 터져서 물이 새게 되는거지 

그게 바로 터널링 효과야. 그리고 전자가 구멍을 내자나. 거기에서 누설 전류가 계속 발생해,

그러다가 CPU가 고장나는거야. 그래서 CPU 전압을 높게 주고 오버 하다가 

구멍이 생기면 그 뒤로 누설전류가 증가하고, 발열이 높아지고, 

이후에 전류가 소자를 태우면

CPU 고장나자나. 이게 그거야. 그냥 압력이 쌔지면서 관통해버린거지.

그러닌깐 삼성 CPU의 경우, 전압이 너무 쎄가지고, 전자가 CPU에 소자에 뚠거지.

거기서 누설 전류가 발생하고, CPU가 폭발하거나 소자가 타버리는거야.

아주 단순한 원리인데, 많은 사람들이 양자역학을 빗대면서 터널링 효과라고 설명하더라고, 

그냥 적정 압력을 넘어서 전자가 관통한거야.

그러면 4n미만으로 갈때는 전압을 낮춰주면 돼, 소자 성형으로 문제를 해결하려면

전기가 흐르는 채널의 총 면적을 늘려주면 되는거야. 

그리고 적정전압을 파악하는게 중요하지. 아주 단순한 원리야.

그래서 비교 생산해서, 소자 성형에 따른 기댓값을 확실하게 알아야 되겠지.

삼성이 배터리가 터지고, CPU 발열 문제가 많다고 하자나.

이건 뭔가 예고 같은거지. 

대형사고 터지기 전에 보이는 그런거,

이런거를 포착해서 미연의 방지하고, 기회로 만드는게 중요하겠지. 

이런 문제가 생겼다는건 어딘가 잘못되었다는걸 의미하는거야.

건물 같은거 무너지기 전에 뭔가 이상 징조 같은게 보이자나.

그런거지. 그냥 아무것도 아니다.

넘어가다가 나중에 대형사고가 터질수있는거지.

정리하자면 CPU의 정적 전압에 대한 이해가 부족해, 

높은 전압으로 인해서 CPU 소자 내부의 전자가 이동하는 구멍이 생기고,

그 안으로 전자가 새 누설 전류가 발생했다.

그 누설 전류가 절연체에 흡수되어 발열을 유도한다. 

성능 상승에 따라 사용하는 전류가 강해지면 CPU를 태운다.

그래서 GOS로 성능 제한을 걸었다. 이런 결론이 나오는거지.