ASML의 최신작 EUV HIGH NA의 경우, 

NA의 크기를 키워 해상도를 높인다고 했지만

사실 크게 의미없다고 봐야지.

EUV 레이저는 주석에 닿아 반사되는 빛을 모아, 

이 빛으로 마스크에 반사 시켜 그 빛으로 노광 공정을 통해 웨이퍼를 그려내는데, 

NA를 늘리는 목적이 집광능력을 키워주기 위해서야.

EUV 레이저의 출력량을 늘리고, 반사되는 빛을 온전하게 흡수하기 위해서,

더 크게 만드는게 중요해, 여기서 NA를 늘리는게 중요하겠지.

그리고 그 빛을 응축시켜서, 웨이퍼를 그려주면 되는거야.

저기 A1의 주석이 있고 레이저로 그 빛을 발사해 반사되어 퍼지는 빛을 집광기로 모아서,

웨이퍼로 내보내지. 레이저의 출력량을 높이고, 주석의 질량을 키우는거야.

그러면 EUV의 출력량을 높일수있게 되는거지.

집광 능력을 높여주는거야. 

그리고 마스크에 닿아 반사된 빛의 NA를 늘려주었는데,

여기서 NA를 늘릴 이유가 없다는거야. 

NA를 늘릴께 아니라, 마스크의 형상의 크기를 키워줘야 돼.

마스크의 전자회로 패턴의 형상이 X인데, 

이것의 크기를 1.5배~2배로 키우는거지. 

X에서 X로 2배의 크기가 커지게 되면 같은 형상에 

더 많은 빛의 입자가 닿게 되겠지.

그 이후에 만들어진 빛의 밀도를 낮춰주고, 마지막에 축소 배율만 높여주면 된다는거지.

해상도를 높이기 위해 집광력을 높여주는것은 맞는데, 

마스크에서 반사되는 빛의 NA를 키우거나, 입사각을 변경한다고 해서, 

해상도가 좋아지는게 아니라는거야.

정리하자면, 해상도가 좋아지게 하려면, 마스크 안에 있는 형상의 크기를 더 키워주고,

처음에 EUV 레이저의 빛의 출력량을 높이고, 집광 렌즈 크기를 좀 더 키워서,

EUV 레이저의 밀도를 높여, 그 빛으로 마스크에 반사 시킨 빛의 밀도를 낮춰주고,

축소 배율을 높여주면 된다는거야.

0.01나노를 하면서 높은 해상도를 구현하려면, 형상의 크기를 키우고, 

EUV 출력량을 높인뒤, 빛의 밀도를 낮춰주고,  축소 배율을 높여주기만 하면 된다는거야.

빛의 밀도를 낮추는것이 빛의 크기를 줄일수있는 핵심 공정이고,

0.01나노를 현실화 하는 핵심 기술이지.

그 해상도를 잡기 위해서, 마스크안의 형상의 절대 크기를 키워주고,

단위면적당 많은 빛을 닿게 한뒤, 그 빛의 밀도를 낮춰 축소하기만 하면 0.01나노도 가능하고,

해상도도 잡을수있게 된다는 말이지.