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2나노 이하에서 누설전류가 높은 이유.jpg

GravityNgc |2025.10.31 11:07
조회 16 |추천 0

 


2나노 이하 반도체 소자를 확대해서 보면 미세한 공극들이 있는데,


이 공극으로 전자가 흘러들어가는거야.


그래서 완전한 절연체인 유리에 반도체 회로를 그리는거지.


반도체 위에 산화막을 만들고 평평하게 코팅하고, 그 위에 그려진 유리 반도체를 결합하는거야.


그러면 회로에 전자가 흐르면서 일정 압력이 되면 산화막을 통해 전류가 흐르는거지.


빛의 밀도를 낮추고 형상이 맺어지는곳을 살짝 미루면 1/1조만큼 줄일수도있는데,


1조배만큼 작아졌을때, 유리가 1cm면 엄청 길어지는거야.


1나노일때 유리 1cm와 1조분의 1나노일때 유리 1cm는 엄청난 길이가 되는거지.


물론 빛의 속도로 움직이기 때문에 체감은 못하지만 공간적으로 1조배가 더 커진거야.


유리의 길이를 좀 더 길게 만들면서 전자가 작은 압력에서도 그 공간에서 유지하도록 만들고,


특정 전압에서 산화막을 통해 전류가 흐로도록하는거지.


0.1나노만 만들어져도, 완전히 대변혁이 일어나는데,


0.0001나노 반도체가 만들어지게 되면 스마트폰 1대가 슈퍼컴퓨터보다 더 빨라질수도있어.


지금 양자 컴퓨터는 처리 단위만 높이는거라고 봐야 하는데,


현재 사용하고 있는 2의 5승 32비트 컴퓨터와 2의 6승 64비트 컴퓨터의 비트수를 높여,


2의 50승 1000조비트 컴퓨터를 만들면 한번에 처리가 가능한 단위를 높일수있지.


그러면 채널의 대역폭도 높여야 하는데, 메모리 대역폭도 병렬로 연결하면 가능해.


누설 전류 문제를 해결하고, 빛의 크기를 줄이는 방법을 찾았어

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