이번에 발표하는 제품은 DDR3 SDRAM의 내부 파이프라인 데이터 패스와 8비트 프리페치(PREFETCH)와 같은 기능으로 광대역폭 800~1600Mhz로 작동한다. 80나노 공정으로 제작되어 1.5v의 향상된 소비전력이 특징이다.
하이닉스는 인텔로부터 80나노 공정기술과 모듈도 함께 인증 받고, 올해 말부터 66나노 공정에 제품도 양산 계획 이라고 밝혔다.
이오메모리 마케팅 담당자는 "DDR2은 800Mbps까지 동작하였으나, DDR3는 1600Mbps까지 가능하여 컴퓨터의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있고, 기본전압이 1.8V에서 1.5V로 전력 소비가 25% 이상 줄어 든 절전형 제품이여서 에너지 효율화에도 부합한다" 라고 강조했다.
문의 : 이오메모리 (02-2120-3901) www.eoelectronics.com
