2나노 이하가 되면 소스와 드레인 사이의 간격이 너무 좁아져서,

전압을 주지 않더래도 전류가 통과하는 터널링 효과가 생기는데,

이 문제를 아주 간단하게 해결할수있지.

소스와 드레인 사이에 보라색 절연체를 설치해서, S에서 전압을 걸었을때

전류가 아래의 산화막을 통과해서 흐르도록 하는거야.

그러면 소스와 드레인을 식각하고 절연체를 삽입하는 임플란트 수술까지 같이 하는거지.

이러면 0.01나노 반도체라더래도 누설전류를 막을수있어.

2나노 반도체가 불가능했던 이유는 빛의 크기를 더이상 줄일수없는거랑

누설전류 때문이였는데,

빛의 밀도를 낮춘 상태에서 형상이 맺어지는곳을 조금 뒤로 미루면 빛의 크기를 줄일수있는데,

이론적으로 축소배율에는 한계가 없어, 빛의 밀도만 낮추면 되는일이야.

누설전류도 마지막에 소스와 드레인을 식각하고 절연체 임플란트 공정을 통해, 누설전류를 막는거지.

2나노 이하 반도체가 만들어지게 되면 현재 지어지고 있는 데이터 센터 크기를 1/1000 크기로 줄일수있는데

0.00001나노가 되면 한국 100평 규모의 데이터 센터가

구글이랑 테슬랑 앤비디아 데이터 센터 총합보다 더 많은 데이터를 처리하고, 전성비도 대폭 높일수있지.

그래서 2나노 이하 기술은 데이터 센터를 지은 이후 가치가 높아지는데,

업계에서 불가능하다는 결론을 내렸기 때문에 최소 10만조원 이상의 가치,

10경원의 가치를 가지는 기술이 될꺼야