반도체에서 2나노 이하부터는 누설전류가 심해지는 이유는 소재 문제 때문이라고할수있는데,

산화막의 밀도가 상대적으로 작아지게 되면서, 낮은 전압에서 전류가 흘러버리는거지.

산화막의 밀도를 높여도 전류가 흐르면 임플란트 작업을 해줘야하는데,

B부분의 산화막 부분에서 소스에서 전류가 낮으면 그 안에서 전자가 움직이면서 산화막의 전기 저항에 의해서

온도가 상승하는데, 몇분마다 일정한 전류를 공급해줘야 돼. 

메모리에서는 이게 기본 유지 전압이 필요한 이유지.

그리고 저기서 전압을 높이게 되면 닿지 않던 D까지 닿으면서 전류가 흐르면서 값이 변하는거야.

그런데 너무 가까워지다보닌깐 전압을 높이지 않더래도, 전류가 흐르면서 값이 변해버리는것

이것을 터널링 효과 때문에 반도체가 작동하지 않았던거지.

그래서 임플란트 작업을 해줘야 하는데,

저렇게 파란색 절연체 임플란트로 전류의 길을 막고, 산화막으로 일정 전압까지는 전류가 흐르지 않도록 하는거야.

대부분 열로 전환되는거지. 

그리고 일정 전압을 넘으면 산화막을 전류가 통과해 드레인으로 전류가 흐르고 값이 바뀌는거야.

해결 방법은 소자안에 절연체 임플란트를 심어야하는데, 

전류가 옆으로 흘렀다면 이제는 전류가 밑으로 가서 오른쪽으로 가서 다시 위로 올라가서 흐르는거야.

산화막과 절연체로 반도체를 만드는거지.

반도체 소자를 더 깊게 파서 인위적으로 공간을 늘리게 되면 반도체 소자의 값을 변경하는데, 

전류량이 증가하는데, 이것도 최적화를 잘해야겠지